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　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào三角形垂线的定义和性质，垂线的定义和性质七年级)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙三角形垂线的定义和性质，垂线的定义和性质七年级已经在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游(yóu)建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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