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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入(rù)从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)国家常务委员7人，国家常务委员7人简历，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海（清洗）国家常务委员7人，国家常务委员7人简历等收入增(zēng)长。

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