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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长(z100厘米等于多少分米，100厘米等于多少分米多少米hǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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