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　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠22寸是多少厘米侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层22寸是多少厘米均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)22寸是多少厘米入(rù)增(zēng)长。

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