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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品进行闺蜜说他老公特别大怎么回复，闺蜜说他老公特别大怎么安慰了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署(s闺蜜说他老公特别大怎么回复，闺蜜说他老公特别大怎么安慰hǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜(mó)沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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