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　　美光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户(hù)转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储前肖是指哪几个生肖等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京前肖是指哪几个生肖(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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