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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(俄罗斯是资本主义还是社会主义gēn)据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(俄罗斯是资本主义还是社会主义俄罗斯是资本主义还是社会主义an>zuò)。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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