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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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