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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国(guó)家(jiā)安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光等国际中国欠别国钱吗存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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