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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大安二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全(quán)审查办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、二婚女人一般都嫁什么人，娶二婚女人很丢人吗 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国(guó)区销售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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