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再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了

再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

  据(jù)网信办消息,日前,网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患,对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险,影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规,我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

  此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进(再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了jìn)行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查,目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安全,是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》,对美(měi)光(guāng)公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一,2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰57%降至(zhì)2022年约(yuē)11%。根据市(shì)场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计(jì),2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了中,江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三(sān)大供应商(shāng)采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定(dìng)性,巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售(shòu)受到限制,或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士(shì),国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu),同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催生更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披再大的胸躺下都是平的,胸明明很大但为什么一躺下就平了露,薄(báo)膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速,看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相(xiāng)关公(gōng)司份额(é)提(tí)升,以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收入(rù)增长(zhǎng)。

 

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