大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华高级合伙人律师一年收入多少，律师合伙人分几级销售(shòu)的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三高级合伙人律师一年收入多少，律师合伙人分几级星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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