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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌我国国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌(chǎng)收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一53231323是什么意思？ 53231323可以弹哪些歌大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收(shōu)入增长(zhǎng)。

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