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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、S2020湖南交通工程学院学费多少钱一年呢，湖南交通工程学院费用olidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。<2020湖南交通工程学院学费多少钱一年呢，湖南交通工程学院费用/p>

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻(kè)蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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