大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron水娃是几娃？ 水娃是什么颜色）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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